M.2 5400P 480GB RI SATA NHS

Name: M.2 5400P 480GB RI SATA NHS
Brand: Lenovo
SKU: 1_4XB7A82287
Price: 566.99 EUR
Availability: InStock

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Certificazione	Micron Green StandardBuilt with sulfur resistant resistorsCE (Europe): EN 55032 Class B, RoHSUKCA (UK): SI 2016/1091 Class B and SI 2012/3032 RoHSFCC: CFR Title 47, Part 15 Class BUL/cUL: approval to UL-60950-1, 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 (2nd Edition); EN 60950-1 (2006) + A11:2009+ A1:2010 + A12:2011 + A2:2013BSMI (Taiwan): approval to CNS 13438 Class B and CNS 15663RCM (Australia, New Zealand): AS/NZS CISPR32 Class BKC RRA (Korea): approval to KN32 Class B, KN 35 Class BW.E.E.E.: compliance with EU WEEE directive 2012/19/ECTUV (Germany): approval to IEC60950/EN60950VCCI (Japan): 2015-04 Class BIC (Canada): ICES-003 Class BMorocco: approval to EN55032/EN55024 Class BUkrSEPRO (Ukraine): EN55032 Class B, IEC60950/EN60950, RoHS (Resolution 2017 No. 139)
Supporto S.M.A.R.T.	Sì
Scrittura casuale (4KB)	37000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Prodotti compatibili	ThinkSystem
Intervallo temperatura di funzionamento	0 - 70 °C
Componente per	Server/workstation
Shock di non-funzionamento	1500 G
Capacità SSD	480 GB
Larghezza	22 mm
Range di umidità di funzionamento	5 - 95%
Latenza di scrittura	42 µs
Consumo di energia (in lettura)	2,5 W
Latenza di lettura	170 µs
Altezza	3,9 mm
Dimensione SSD	M.2
Interfaccia	Serial ATA III
Profondità	80 mm
Hot-swap	Sì
Consumo di energia (in scrittura)	3,1 W
Tempo medio tra guasti (MTBF)	3000000 h
Intervallo di temperatura	-40 - 85 °C
Tipo memoria	3D TLC NAND
Lettura casuale (4KB)	95000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Marca Lenovo

Riferimento 1_4XB7A82287

In magazzino 10 Articoli

Scheda tecnica

Profondità: 80 mm
Larghezza: 22 mm
Altezza: 3,9 mm
Capacità SSD: 480 GB
Range di umidità di funzionamento: 5 - 95%
Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
Shock di non-funzionamento: 1500 G
Dimensione SSD: M.2
Intervallo di temperatura: -40 - 85 °C
Interfaccia: Serial ATA III
Componente per: Server/workstation
Tempo medio tra guasti (MTBF): 3000000 h
Tipo memoria: 3D TLC NAND
Prodotti compatibili: ThinkSystem
Hot-swap: Sì
Supporto S.M.A.R.T.: Sì
Latenza di lettura: 170 µs
Consumo di energia (in scrittura): 3,1 W
Lettura casuale (4KB): 95000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB): 37000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Latenza di scrittura: 42 µs
Consumo di energia (in lettura): 2,5 W

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